FA失效分析探针台的结构主要由探针台系统和激光系统组成。可在常温和高低温环境下对芯片进行失效分析、射频特性器件失效分析、材料/器件的IV/CV特性测试及失效分析、芯片内部线路/电极/PAD测试、IC/面板内部线路修改/去层等。
•探针台系统可以选用：4~12英寸探针台
•激光系统可以选用美国ESI三波段激光器或者法国quantel激光器
•美国ESI（NEWWAVE）激光器参数镭射波长1064和532nm和355nm
输出功率2.2mJ/pulse
击打频率1Hz~50Hz
可加工的材质：Copper/Gold/Poly Silicon/Aluminum/Silicon Dixoide等
最小加工尺寸1微米(使用100X物镜)
最大加工尺寸40微米(使用50X物镜)
•法国quantel激光器参数镭射波长1064& 532nm& 355nm
输出功率 1064nm-20mJ &532nm-6mJ &355nm-8mJ
频率 100Hz
可加工的材质：Cr/Al/ITO/Ni/TFT/RGB//Poly Silicon Dixoide等
可加工的材质：Copper/Gold/Poly Silicon/Aluminum/Silicon Dixoide等
可加工的材质：Cr/Al/ITO/Mo/矽树脂/氮化物/Polymide等
最小加工尺寸1微米(使用100X物镜)
最大加工尺寸40微米(使用50X物镜)
引导光源模块/波长选择模块Slit模块
搭配美国ESI（NEWWAVE）激光器：
搭配法国quantel激光器：
